[发明专利]用于EEPROM存储器的擦除和写入电路及其方法在审
| 申请号： | 201610501884.8 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106158032A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘吉平;唐伟;张怀东 | 申请（专利权）人： | 深圳市航顺芯片技术研发有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 广东深宏盾律师事务所 44364 | 代理人： | 赵琼花 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种于EEPROM的擦除和写入电路及其方法，包括：时序控制模块、存储模块、输入输出模块、页缓存模块、页地址译码器、页内字节地址译码器。本发明在擦除EEPROM存储器中的数据之前，被擦除的页数据被读入页缓存器中。页缓存数据可以写“0”也可以写“1”，需要编程的数据可以是整页，也可以是1个字节到一页所含的字节之间任意个字节。本发明克服对EEPROM写数据不灵活、在有些应用场合不能使用、必须整页写导致的存储空间利用率低以及写数据速度慢的缺点，添加了页内字节地址译码器，实现对EEPROM灵活输入数据，适用性广。可以只更新一页中少部分数据，提高存储空间利用率，加快写数据的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 eeprom 存储器 擦除 写入 电路 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种用于EEPROM存储器的擦除和写入电路，包括：时序控制模块、存储模块、输入输出模块、页缓存器、页地址译码器；其特征在于，还包括：页内地址译码器。
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