[发明专利]一种新型沟槽式势垒肖特基二极管及其生产工艺在审
| 申请号： | 201610502379.5 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106057913A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 徐柏林;王俊 | 申请（专利权）人： | 南通康比电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L23/49;H01L23/31;H01L23/367;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型沟槽式势垒肖特基二极管，包括一芯片，芯片的两端分别通过焊料焊接第一引线和第二引线，并通过塑封料将第一引线、芯片和第二引线塑封成一体；所述芯片包括P面和N面，所述P面呈沟槽状，且P面的沟槽状面上设置有一层二氧化硅钝化保护层，所述N面为平面；所述第一引线为平面引线，第二引线为锥面引线；还包括上述二极管的生产工艺。本发明的优点在于：新型沟槽式势垒肖特基二极管的结构巧妙，工艺完善成熟，产品加工生产效率高，产品散热好，功耗低，使用寿命长，环氧树脂从大钉头面注入，反冲进入芯片表面，最大限度降低对芯片的冲击，有效降低注塑应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 沟槽 式势垒肖特基 二极管 及其 生产工艺 | ||
【主权项】：
一种新型沟槽式势垒肖特基二极管，包括一芯片，芯片的两端分别通过焊料焊接第一引线和第二引线，并通过塑封料将第一引线、芯片和第二引线塑封成一体；其特征在于：所述芯片包括P面和N面，所述P面呈沟槽状，且P面的沟槽状面上设置有一层二氧化硅钝化保护层，所述N面为平面；所述第一引线为平面引线，第二引线为锥面引线。
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