[发明专利]纳米晶体管在审
| 申请号： | 201610502943.3 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN107564946A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 张金;魏洋;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种纳米晶体管，该纳米晶体管包括一源极、一漏极、一纳米异质结构及一栅极，该纳米异质结构与该源极和漏极电连接，该栅极通过一绝缘层与该纳米异质结构、源极及漏极绝缘设置，所述纳米异质结构包括一第一碳纳米管，该第一碳纳米管朝一第一方向延伸；一半导体层，该半导体层的厚度为1~100纳米；一第二碳纳米管，该第二碳纳米管设置于所述半导体层的表面，使半导体层设置于第一碳纳米管和第二碳纳米管之间，该第二碳纳米管朝一第二方向延伸，第二方向和第一方向形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶体管 | ||
【主权项】：
一种纳米晶体管，该纳米晶体管包括一源极、一漏极、一纳米异质结构及一栅极，该纳米异质结构与该源极和漏极电连接，该栅极通过一绝缘层与该纳米异质结构、源极及漏极绝缘设置，其特征在于，所述纳米异质结构包括：一第一碳纳米管，该第一碳纳米管朝一第一方向延伸；一半导体层，该半导体层的厚度为1~100纳米；一第二碳纳米管，该第二碳纳米管设置于所述半导体层的表面，使半导体层设置于第一碳纳米管和第二碳纳米管之间，该第二碳纳米管朝一第二方向延伸，第二方向和第一方向形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度。
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