[发明专利]CMOS图像传感器的晶圆级封装方法有效

专利信息
申请号: 201610503553.8 申请日: 2016-07-01
公开(公告)号: CN106024819B 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 赵立新;邓辉 申请(专利权)人: 格科微电子(上海)有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种CMOS图像传感器的晶圆级封装方法。本发明的CMOS图像传感器的晶圆级封装方法,可以以球栅阵列(BGA)、凸点(BUMP)及引线(LEAD)等多种方式在芯片的感光面形成触点,并通过银浆连接、异方性导电胶膜(ACF)连接、脉冲焊接连接、超声波连接、焊球热连接等方式进行组装,有效降低封装后的整体厚度,提高图像传感器性能,尤其适用于高像素CMOS图像传感器产品,并且适用于多摄像头模组产品的晶圆级封装。
搜索关键词: cmos 图像传感器 晶圆级 封装 方法
【主权项】:
一种CMOS图像传感器的晶圆级封装方法,其特征在于,包括:提供第一晶圆,所述第一晶圆具有多个图像传感器芯片,所述图像传感器芯片相互之间具有切割道,所述图像传感器芯片具有感光区域和非感光区域,所述感光区域上具有像素单元,所述非感光区域上具有焊盘;提供第二晶圆,于所述第二晶圆的第一表面形成若干第一凹槽,所述第一凹槽对应于图像传感器的感光区域;于所述第一表面形成若干第二凹槽,所述第二凹槽对应于图像传感器芯片的焊盘,于所述第二凹槽内形成隔离层,于所述隔离层上形成第一金属层;于所述第一凹槽中设置透光基板;将所述第二晶圆的第一表面放于第一晶圆上,所述焊盘与第二凹槽的第一金属层电学连接;减薄第二晶圆的第二表面,刻蚀暴露出第二凹槽的第一金属层,通过重布线方式铺设第二金属层连通第一金属层;刻蚀暴露出透光基板;于第二金属层上形成触点;沿所述切割道切割键合的晶圆形成封装件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格科微电子(上海)有限公司,未经格科微电子(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610503553.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top