[发明专利]CMOS图像传感器的晶圆级封装方法有效
申请号: | 201610503553.8 | 申请日: | 2016-07-01 |
公开(公告)号: | CN106024819B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 赵立新;邓辉 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种CMOS图像传感器的晶圆级封装方法。本发明的CMOS图像传感器的晶圆级封装方法,可以以球栅阵列(BGA)、凸点(BUMP)及引线(LEAD)等多种方式在芯片的感光面形成触点,并通过银浆连接、异方性导电胶膜(ACF)连接、脉冲焊接连接、超声波连接、焊球热连接等方式进行组装,有效降低封装后的整体厚度,提高图像传感器性能,尤其适用于高像素CMOS图像传感器产品,并且适用于多摄像头模组产品的晶圆级封装。 | ||
搜索关键词: | cmos 图像传感器 晶圆级 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种CMOS图像传感器的晶圆级封装方法,其特征在于,包括:提供第一晶圆,所述第一晶圆具有多个图像传感器芯片,所述图像传感器芯片相互之间具有切割道,所述图像传感器芯片具有感光区域和非感光区域,所述感光区域上具有像素单元,所述非感光区域上具有焊盘;提供第二晶圆,于所述第二晶圆的第一表面形成若干第一凹槽,所述第一凹槽对应于图像传感器的感光区域;于所述第一表面形成若干第二凹槽,所述第二凹槽对应于图像传感器芯片的焊盘,于所述第二凹槽内形成隔离层,于所述隔离层上形成第一金属层;于所述第一凹槽中设置透光基板;将所述第二晶圆的第一表面放于第一晶圆上,所述焊盘与第二凹槽的第一金属层电学连接;减薄第二晶圆的第二表面,刻蚀暴露出第二凹槽的第一金属层,通过重布线方式铺设第二金属层连通第一金属层;刻蚀暴露出透光基板;于第二金属层上形成触点;沿所述切割道切割键合的晶圆形成封装件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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