[发明专利]一种基于氧化钛纳米带的异质结型光电探测器及制备方法在审
申请号: | 201610504316.3 | 申请日: | 2016-06-28 |
公开(公告)号: | CN106057961A | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 兰建龙 | 申请(专利权)人: | 兰建龙 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/18;H01L31/0352 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 温旭 |
地址: | 545600 广西壮族自治区柳州市*** | 国省代码: | 广西;45 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种基于氧化钛纳米带的异质结型光电探测器及制备方法,本发明公开了一种异质结型光电探测器及其制备方法,是由P型氧化钛纳米带与N型氮掺杂石墨烯构筑成的异质结光电探测器。本发明光电探测器对可见光非常敏感,响应度及增益较高并且响应速度较快,为纳米材料在光电器件中的应用和集成提供了良好的基础。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 氧化 纳米 异质结型 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于氧化钛纳米带的异质结型光电探测器,其特征在于,具有如下结构:在硅基底的表面覆有二氧化硅层,在二氧化硅层的表面分散有平铺的氧化钛纳米带,在所述氧化钛纳米带的两端分别设置有欧姆电极作为输出一极,所述欧姆电极与所述氧化钛纳米带呈欧姆接触;在所述氧化钛纳米带上交叠覆有氮掺杂石墨烯,所述氮掺杂石墨烯位于两个欧姆电极之间且与欧姆电极隔离;在所述氮掺杂石墨烯上设置有欧姆电极作为另一输出极,所述欧姆电极与所述氮掺杂石墨烯呈欧姆接触且与氧化钛纳米带和欧姆电极隔离;所述氧化钛纳米带为P型氧化钛纳米带;所述氮掺杂石墨烯为N型氮掺杂石墨烯;所述欧姆电极和欧姆电极为金电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰建龙,未经兰建龙许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610504316.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种带有控制装置的轮椅车
- 下一篇:一种用于电线电缆的防滑绕线器及其加工工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的