[发明专利]一种大功率激光器及其衍射透镜制作方法有效
| 申请号： | 201610504882.4 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106443902B | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 林谦;石川;常进;胡毅;马卫东 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42;G02B6/34 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 王泽云 |
| 地址： | 430205 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种大功率激光器，包括有边发射激光器芯片(1)和波导模场转换器，所述边发射激光器芯片(1)和波导模场转换器之间通过固定于硅基光基板(5)上的硅基衍射透镜(2)进行耦合，所述硅基衍射透镜(2)工作端面上刻蚀有环状沟槽，沟槽底面呈倾斜面，沟槽倾斜面的波导深度呈H(r，θ)＝λΦf(r，θ)/2∏，r是硅基衍射透镜(2)工作面上的极坐标距离，θ是硅基衍射透镜(2)工作面上的极坐标方位角，Φf(r，θ)是硅基衍射透镜(2)的相位分布，λ是入射光波长。本发明装置采用硅衍射透镜解决了边发射激光器芯片和模场转换器耦合中存在的模场半宽失配、耦合透镜的像差问题，能提高耦合效率；本发明有利于大规模生产的实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 激光器 及其 衍射 透镜 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种大功率激光器，其特征在于：包括有边发射激光器芯片(1)和波导模场转换器，所述边发射激光器芯片(1)和波导模场转换器之间通过固定于硅基光基板(5)上的硅基衍射透镜(2)进行耦合，所述硅基衍射透镜(2)工作端面上刻蚀有环状沟槽，沟槽底面呈倾斜面，沟槽倾斜面的波导深度呈H(r,θ)＝λΦf(r,θ)/2π，r是硅基衍射透镜(2)工作面上的极坐标距离，θ是硅基衍射透镜(2)工作面上的极坐标方位角，Φf(r,θ)是硅基衍射透镜(2)的相位分布，λ是入射光波长。
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