[发明专利]一种紫外光探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米氧化钐纳米棒阵列和n型硅基底形成的n‑n同型异质结材料的高性能紫外光探测器。首先利用溅射方法在n型硅基底上生长氧化钐纳米点薄膜；然后通过水热法方法诱导种子层生成氧化钐纳米棒阵列；最后通过磁控溅射法制备透光金属层电极薄膜。本发明利用氧化钐纳米棒阵列/硅异质结的放大效应制备的氧化钐纳米棒阵列/硅异质结紫外光探测器具有工艺简单，成本低廉，无需加热器，能在室温下工作，且具有耗能低，灵敏度高，响应、恢复时间短的特点，对紫外光具有良好的检测性能，具有重要的应用前景。

主权项

一种紫外光探测器，其中，采用具有紫外敏感性的氧化钐/硅异质结材料，主体结构是氧化钐纳米棒阵列薄膜(3)和n型硅基底(5)形成的n‑n同型异质结；其中，n型硅基底(5)上保留自然氧化的二氧化硅层(4)，氧化钐纳米棒阵列表面镀有透光金属层电极薄膜(2)；透光金属层电极薄膜(2)上制备铟点电极(1)，在n型硅基底(5)上与二氧化硅层(4)相对的一侧表面上形成铟金属层(6)作为另一电极；连接正电极铟点电极(1)和负电极铟金属层(6)；电压为‑2伏特；氧化钐纳米棒阵列/硅异质结从无光向有光转换时，电流变化较大，表现出了良好的紫外光敏感性；反向电压下，该异质结在不同紫外光功率下光电流变化明显，且随着光功率的增大，光电流增大。