[发明专利]温度测量方法和热处理装置在审
| 申请号： | 201610505674.6 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106319484A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 和田祐辉;吉井弘治;小原一辉 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52;C23C16/40;G01J5/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种温度测量方法和热处理装置。温度测量方法是利用放射温度测量部来测量半导体制造装置中的处理容器内的温度的温度测量方法，其中，该放射温度测量部检测从对象物放射的红外线来测量温度，在该温度测量方法中，利用所述放射温度测量部来检测从室温(20℃)下的电阻率为0.02Ω·cm以下的低电阻硅晶圆放射的红外线。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 测量方法 热处理 装置 | ||
【主权项】：
一种温度测量方法，利用放射温度测量部来测量半导体制造装置中的处理容器内的温度，该放射温度测量部检测从对象物放射的红外线来测量温度，其中，利用所述放射温度测量部来检测从20℃下的电阻率为0.02Ω·cm以下的低电阻硅晶圆放射的红外线。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
