[发明专利]一种液相生长碳化硅的籽晶轴及方法有效

专利信息
申请号: 201610505971.0 申请日: 2016-06-30
公开(公告)号: CN106012021B 公开(公告)日: 2019-04-12
发明(设计)人: 朱灿;王晓;宋建;李斌 申请(专利权)人: 山东天岳先进材料科技有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B15/32
代理公司: 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 代理人: 吴绍群
地址: 250100 山东省济南市高新区*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种液相生长碳化硅的籽晶轴及方法,属于碳化硅生长技术领域。本发明所述的籽晶轴包括石墨轴,在石墨轴的下端连接有石墨轴帽;所述的石墨轴帽为中空结构。本发明解决了传统生长方法高速生长带来的多型、包裹体和应力等问题,可方便的调控温度梯度,使晶体既保证生长速度的同时,又能保证晶体质量。
搜索关键词: 一种 相生 碳化硅 籽晶 方法
【主权项】:
1.一种液相生长碳化硅的籽晶轴,包括石墨轴(1),其特征在于:在石墨轴(1)的下端连接有石墨轴帽(2);所述的石墨轴帽(2)为中空结构;所述的石墨轴帽(2)的高度为1‑10cm。
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