[发明专利]EUV保护膜及其制造方法在审
| 申请号： | 201610506548.2 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106556968A | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 邱壬官;叶昭辉 | 申请（专利权）人： | 炬力奈米科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/22 | 分类号： | G03F1/22;G03F1/48 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 马雯雯,臧建明 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种EUV保护膜及其制造方法，其中EUV保护膜，包括第一层、第二层以及层状材料。第二层形成于第一层上。层状材料形成于第一层与第二层之间。层状材料的材料包括石墨烯、氮化硼、过渡金属二硫属化物或其组合。本发明提供的EUV保护膜及其制造方法，具有较佳的导热性、机械强度以及韧性，进而提高使用寿命并减少工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | euv 保护膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种保护膜，用以保护极紫外光掩膜，其特征在于，所述保护膜包括：第一层；第二层，形成于所述第一层上；以及层状材料，形成于所述第一层与所述第二层之间，其中所述层状材料的材料包括石墨烯、氮化硼、过渡金属二硫属化物或其组合。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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