[发明专利]卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备有效
申请号: | 201610506736.5 | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN105908149B | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 张海林;滕玉鹏 | 申请(专利权)人: | 青岛赛瑞达电子科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/54 |
代理公司: | 青岛联信知识产权代理事务所(普通合伙) 37227 | 代理人: | 潘晋祥;王中云 |
地址: | 266000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备,包括置料真空腔室、加热真空腔室、和加热装置,所述置料真空腔室设置有两个,所述加热真空腔室位于加热装置内,两端伸出并与对应的置料真空腔室设置的连通口相连通,所述置料真空腔室内安装有置料辊和输送辅助装置,所述输送辅助装置位于对应置料辊内侧,并与连通口对齐,所述输送辅助装置为上下相对设置并且相互啮合的两个压辊。卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备将位于一端的置料真空腔室的铜箔通过加热真空腔室输送到另一端的置料真空腔室中,期间通过加热和反应气体,在铜箔上生长石墨烯薄膜,无须射频等离子体发生器,节能安全。输送辅助装置从两端将铜箔固定,使其不会受到对应置料辊上铜箔粗细的影响,使加热真空腔室内的铜箔始终保持水平,保证其与反应气体充分接触,提高石墨烯生产质量。 | ||
搜索关键词: | 石墨 薄膜 连续 生长 设备 | ||
【主权项】:
1.一种卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备,其特征在于,包括置料真空腔室(1)、加热真空腔室(2)、和加热装置(3),所述置料真空腔室(1)设置有两个,所述加热真空腔室(2)位于加热装置(3)内,两端伸出并与对应的置料真空腔室(1)设置的连通口(2‑1)相连通,所述置料真空腔室(1)内安装有置料辊(1‑1)和输送辅助装置(1‑2),所述输送辅助装置(1‑2)位于对应置料辊(1‑1)内侧,并与连通口(2‑1)对齐,所述输送辅助装置(1‑2)为上下相对设置并且相互啮合的两个压辊,一个置料真空腔室(1)连接有抽真空装置(4);所述置料真空腔室(1)的连通口(2‑1)上设置有环形弥散腔(2‑2),所述环形弥散腔(2‑2)位于置料真空腔室(1)的壳体中,并与其同轴,所述环形弥散腔(2‑2)的内壁周向设置有多个通气孔(2‑3),外壁设置有流通口(2‑4)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛赛瑞达电子科技有限公司,未经青岛赛瑞达电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610506736.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的