[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板的制备方法有效
申请号: | 201610507018.X | 申请日: | 2016-06-28 |
公开(公告)号: | CN106116589B | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 邱基华;付君宇;童文欣 | 申请(专利权)人: | 潮州三环(集团)股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/581 | 分类号: | C04B35/581;C04B35/622;C04B35/632;C04B35/634;B28B3/00 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;宋静娜 |
地址: | 515646 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种氮化铝陶瓷基板的制备方法,属于电子陶瓷制备技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤:(1)配制流延浆料;(2)流延成型:步骤(1)配制的流延浆料经过真空脱泡后进入流延机,经流延得到流延坯体;(3)冲压:将流延坯体冲压成单片坯体;(4)溶剂涂覆:在单片坯体的正反两面均涂覆有机溶剂;(5)叠层:将步骤(4)中已涂覆有机溶剂的单片坯体叠在一起后进行真空封装;(6)等静压压制;(7)排胶;(8)烧结,得到氮化铝陶瓷基板。本发明通过在叠层坯体的接触面涂覆溶剂,使制成的坯体均匀,烧结后的产品致密性好(流延工艺决定),外观均匀,性能均匀。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)配制流延浆料;(2)流延成型:步骤(1)配制的流延浆料经过真空脱泡后进入流延机,经流延得到流延坯体;(3)冲压:将流延坯体冲压成单片坯体;(4)溶剂涂覆:在单片坯体的正反两面均涂覆有机溶剂;(5)叠层:将步骤(4)中已涂覆有机溶剂的单片坯体叠在一起后进行真空封装;(6)等静压压制;(7)排胶;(8)烧结,得到氮化铝陶瓷基板;所述步骤(4)中,有机溶剂由甲苯和丁醇组成,所述甲苯与丁醇的质量比为1~1.25:1。
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