[发明专利]一种用于马赫曾德光调制器的晶片结构在审
| 申请号： | 201610507453.2 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106019643A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 华平壤;陈朝夕 | 申请（专利权）人： | 派尼尔科技（天津）有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/03 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300000 天津市滨海新区开发*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于马赫曾德光调制器的晶片结构，包括钛扩散铌酸锂条形波导、铌酸锂层、二氧化硅缓冲层、共面行波电极、硅基底和下电极层，钛扩散铌酸锂条形波导安装在铌酸锂层的下表面中央，硅基底的上表面覆盖共面行波电极，共面行波电极共三个且其上表面覆盖一层二氧化硅缓冲层，二氧化硅缓冲层共两层且其两层间安装有铌酸锂层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 马赫 曾德光 调制器 晶片 结构 | ||
【主权项】：
一种用于马赫曾德光调制器的晶片结构，其特征在于：包括钛扩散铌酸锂条形波导、铌酸锂层、二氧化硅缓冲层、共面行波电极、硅基底和下电极层，所述钛扩散铌酸锂条形波导安装在所述铌酸锂层的下表面中央，所述硅基底的上表面覆盖所述共面行波电极，所述共面行波电极共三个且其上表面覆盖一层所述二氧化硅缓冲层，所述二氧化硅缓冲层共两层且其两层间安装有所述铌酸锂层。
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