[发明专利]基于Be辅助掺杂技术的高亮度紫外LED及其制备方法在审
| 申请号： | 201610508853.5 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN106129191A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 汤子康;陈安琪;朱海;桂许春 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/28 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 张玲春 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于Be辅助掺杂技术的高亮度紫外发光LED及其制备方法。该高亮度紫外LED包括：生长衬底、衬底上先沉积缓冲层，接着生长n型薄膜层，在n型薄膜层上生长有源发光层，最后生长p型薄膜层；n型薄膜层上制作有金属电极的负极，p型薄膜层上生长有金属电极的正极。本发明通过引入与氮结合力强的铍原子(Be)，实现受主氮原子在氧化锌中的高效、稳定掺杂。从而实现稳定可重复的p型氧化锌，并将其应用在同质p‑i‑n型二极管中以实现高效、高亮度的紫外电致发光。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 be 辅助 掺杂 技术 亮度 紫外 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于Be辅助掺杂技术的高亮度紫外LED，其特征在于其包括：生长衬底、衬底上先沉积缓冲层，接着生长n型薄膜层，在n型薄膜层上生长有源发光层，最后生长p型薄膜层；n型薄膜层上制作有金属电极的负极，p型薄膜层上生长有金属电极的正极。
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