[发明专利]在钛基体表面原位生长钛酸锶钡铁电薄膜的方法及微弧氧化电解液在审
| 申请号： | 201610509019.8 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN105937047A | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李文芳;王敏;张果戈 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了在钛基体表面原位生长钛酸锶钡铁电薄膜的方法，包括以下步骤：(1)对钛基体进行预处理；(2)将预处理后的钛基体连接到阳极，置于微弧氧化电解液中进行微弧氧化，反应5～20min，在钛基体表面生成钛酸锶钡铁电薄膜；所述微弧氧化电解液包括以下成分：氢氧化钡0.2～0.8mol/L氢氧化锶0.2～0.8mol/L电解液添加剂：PVP0.01～0.06mol/L；EDTA 0.01～0.08mol/L(3)将步骤(2)处理后的钛基体置于蒸馏水中浸泡1～2小时，最后烘干。本发明能制备表面平整、致密，铁电性能良好的钛酸锶钡铁电薄膜，制备工艺简单，可在常温下进行,无需后续热处理，环保、无污染。 | ||
| 搜索关键词： | 基体 表面 原位 生长 钛酸锶钡铁电 薄膜 方法 氧化 电解液 | ||
【主权项】：
在钛基体表面原位生长钛酸锶钡铁电薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对钛基体进行预处理；(2)将预处理后的钛基体连接到阳极，置于微弧氧化电解液中进行微弧氧化，反应5～20min，在钛基体表面生成钛酸锶钡铁电薄膜；所述微弧氧化电解液包括以下成分：![]()
(3)将步骤(2)处理后的钛基体置于蒸馏水中浸泡1～2小时，最后烘干。
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