[发明专利]一种金属离子掺杂的TiO2光阳极的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610509739.4 申请日: 2016-06-28
公开(公告)号: CN105957718A 公开(公告)日: 2016-09-21
发明(设计)人: 范佳杰;刘永强;黄浩;仝可蒙;李珍珍;冉慧丽 申请(专利权)人: 郑州大学
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20
代理公司: 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 代理人: 杨唯
地址: 450001 河南省郑*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种金属离子掺杂的TiO2光阳极的制备方法,包括如下步骤:S1,首先对FTO导电玻璃基底进行清洗及初步处理;S2,在FTO导电玻璃基底的导电面上进行刮凃操作,从而将致密层的TiO2浆料刮凃在FTO导电玻璃基底的导电面形成致密层,所述致密层中的TiO2颗粒掺杂有Nb元素;S3,将所述致密层进行干燥,然后将散射层的TiO2浆料在所述致密层表面进行刮凃操作形成散射层且对所述散射层进行干燥,然后对该样品进行煅烧,所述散射层中的TiO2颗粒掺杂有Nb元素;S4,将刮凃有致密层和散射层的样品进行敏化处理。本发明通过对光阳极的分等级结构的设计,以及通过掺杂来改变带隙,从而优化光电器件性能。
搜索关键词: 一种 金属 离子 掺杂 tio sub 阳极 制备 方法
【主权项】:
一种金属离子掺杂的TiO2光阳极的制备方法,包括如下步骤:S1,首先对FTO导电玻璃基底进行清洗及初步处理;S2,在FTO导电玻璃基底的导电面上进行刮凃操作,从而将致密层的TiO2浆料刮凃在FTO导电玻璃基底的导电面形成致密层,所述致密层中的TiO2颗粒掺杂有Nb元素;S3,将所述致密层进行干燥,然后将散射层的TiO2浆料在所述致密层表面进行刮凃操作形成散射层且对所述散射层进行干燥,然后对该样品进行煅烧,所述散射层中的TiO2颗粒掺杂有Nb元素;S4,将刮凃有致密层和散射层的样品进行敏化处理。
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