[发明专利]ESD NMOS器件结构在审
| 申请号： | 201610510501.3 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106024896A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 颜丙勇;杜宏亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种ESD NMOS器件结构，包括：衬底、形成在衬底内的P阱和N阱、形成在P阱中的NMOS器件源极区域和NMOS器件漏极区域、形成在N阱上部的N型漏极区、形成在P阱区域上方的介于NMOS器件源极区域和NMOS器件漏极区域之间的栅极结构；其中，NMOS器件漏极区域和N型漏极区通过第一浅沟槽隔离隔开。P阱中形成有通过第二浅沟槽隔离与NMOS器件源极区域隔开的保护环区域。 | ||
| 搜索关键词： | esd nmos 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种ESD NMOS器件结构，其特征在于包括：衬底、形成在衬底内的P阱和N阱、形成在P阱中的NMOS器件源极区域和NMOS器件漏极区域、形成在N阱上部的N型漏极区、形成在P阱区域上方的介于NMOS器件源极区域和NMOS器件漏极区域之间的栅极结构；其中，NMOS器件漏极区域和N型漏极区通过第一浅沟槽隔离隔开。
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