[发明专利]噪声发生电路、自检电路、AFCI和光伏发电系统有效

专利信息
申请号: 201610510507.0 申请日: 2016-07-01
公开(公告)号: CN106199477B 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 张圣杰;韩锦涛 申请(专利权)人: 西安华为技术有限公司
主分类号: G01R35/00 分类号: G01R35/00;G01R31/14
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨泽;刘芳
地址: 710075 陕西省西安市高*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明实施例提供一种噪声发生电路、自检电路、AFCI和光伏发电系统,该噪声发生电路包括:电源开关模块、噪声发生器和电容;噪声发生器分别与电源开关模块和电容连接;电源开关模块,用于根据自检指令控制噪声发生器是否产生噪声信号;电容,用于在噪声发生器产生噪声信号时,滤除噪声信号中的直流成分。本发明实施例提供的噪声发生电路、自检电路、AFCI和光伏发电系统,能够在非自检时间不产生噪声信号,进而能够避免对处于工作状态的AFCI中的器件和AFCI所在光伏逆变器中的器件产生影响,保证了AFCI和光伏逆变器的正常工作。
搜索关键词: 噪声 发生 电路 自检 afci 发电 系统
【主权项】:
1.一种噪声发生电路,其特征在于,包括:电源开关模块、噪声发生器和电容;所述噪声发生器分别与所述电源开关模块和所述电容连接;所述电源开关模块,用于根据自检指令控制所述噪声发生器是否产生噪声信号;所述电容,用于在所述噪声发生器产生所述噪声信号时,滤除所述噪声信号中的直流成分;所述电源开关模块包括:供电电源、第一电阻、第二电阻、第一开关和P沟道金属氧化物半导体场效应PMOS管;所述第一电阻的第一端与所述第一开关的第一端连接,所述第一开关的第二端接地,所述第一开关的第三端分别与所述第二电阻的第一端和所述PMOS管的栅极连接,所述第二电阻的第二端和所述PMOS管的源极均与所述供电电源连接,所述PMOS管的漏极与所述噪声发生器连接。
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