[发明专利]低导通电阻阻断型浪涌保护器件在审
| 申请号： | 201610510594.X | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105932657A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 叶力 | 申请（专利权）人： | 上海芯琦电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 刘红祥 |
| 地址： | 200000 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低导通电阻阻断型浪涌保护器件，第一晶体管的漏极与模块输入端相连，栅极与第二晶体管的源极相连；第二晶体管的漏极与模块输出端相连，栅极与第一晶体管的源极相连；第一可变电阻元件连接第一耗尽型场效应晶体管的源极和第三晶体管的源极；第二可变电阻元件连接第二晶体管的源极和第三耗尽型场效应晶体管的漏极；第三晶体管的栅极与第一电阻和第二电阻分别相连；第一电阻另端与模块输入端相连，第二电阻另端与模块输出端相连。本发明形成类似于可重置保险丝的可变电阻电路，可无限次重复阻断复位，低导通电阻阻断型浪涌保护器件还可实现低导通电阻小触发电流下的阻断防护，提升阻断型浪涌保护器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 通电 阻断 浪涌保护器 | ||
【主权项】：
一种低导通电阻阻断型浪涌保护器件，包括耗尽型场效应晶体管和电阻，其特征在于：所述浪涌保护器件包括第一耗尽型场效应晶体管(Q1)、第二耗尽型场效应晶体管(Q2)、第三耗尽型场效应晶体管(Q3)、第一可变电阻元件(101)、第二可变电阻元件(102)、第一电阻(R1)和第二电阻(R2)构成串联结构的导通路径，其中，第一耗尽型场效应晶体管(Q1)的漏极与模块输入端(A)相连，栅极与第二耗尽型场效应晶体管(Q2)的源极相连；第二耗尽型场效应晶体管(Q2)的漏极与模块输出端(B)相连，栅极与第一耗尽型场效应晶体管(Q1)的源极相连；第一可变电阻元件(101)连接第一耗尽型场效应晶体管(Q1)的源极和第三耗尽型场效应晶体管(Q3)的源极；第二可变电阻元件(102)连接第二耗尽型场效应晶体管(Q2)的源极和第三耗尽型场效应晶体管(Q3)的漏极；第三耗尽型场效应晶体管(Q3)的栅极与第一电阻(R1)和第二电阻(R2)分别相连；第一电阻(R1)的另一端与模块输入端(A)相连，第二电阻(R2)的另一端与模块输出端(B)相连。
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