[发明专利]在非平坦硅表面上的应力松弛缓冲层在审
| 申请号： | 201610511090.X | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106356284A | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | B·J·帕夫拉克 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及在非平坦硅表面上的应力松弛缓冲层，具体提供一种形成应力松弛缓冲(SRB,Stress Relaxed Buffer)层于非平坦的或开槽的硅(Si)表面上的方法及其装置。实施例包含形成非平坦表面于硅晶圆的上表面中；外延生长低温晶种层于该硅晶圆的该非平坦表面上；沉积应力松弛缓冲层于该低温晶种层上方；以及平坦化该应力松弛缓冲层的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 平坦 表面上 应力 松弛 缓冲 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在硅(Si)晶圆的上表面中形成非平坦表面或V型凹槽表面；在该硅晶圆的该非平坦表面上外延生长低温晶种层；沉积应力松弛缓冲(SRB)层于该低温晶种层上方；以及平坦化该应力松弛缓冲层的上表面。
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