[发明专利]弹性波装置有效
申请号: | 201610512603.9 | 申请日: | 2011-12-20 |
公开(公告)号: | CN106209007B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 木户俊介;岩本英树;神藤始;渡边宗久 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H3/10 | 分类号: | H03H3/10;H03H9/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 薛凯 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供能对应高频且能提高Q值的弹性波装置。本发明的弹性波装置(1)中,在支撑基板(2)上层叠有进行传播的体波声速比在压电膜(5)传播的弹性波声速高的高声速膜(3),在高声速膜(3)上,层叠有进行传播的体波声速比在压电膜(5)传播的体波声速低的低声速膜(4),在低声速膜(4)上层叠有上述压电膜(5),且在压电膜(5)的一面层叠有IDT电极(6)。 | ||
搜索关键词: | 弹性 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种弹性波装置,具有压电膜,所述弹性波装置具备:高声速支撑基板;低声速膜,其层叠于所述高声速支撑基板上;所述压电膜,其层叠于所述低声速膜上;以及IDT电极,其形成于所述压电膜的一面,所述压电膜,以LiTaO3、LiNbO3、ZnO、A1N或PZT的任意一者作为材料,所述高声速支撑基板,以硅作为材料,所述低声速膜,以如下任意一者作为材料:氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、或者在氧化硅添加了氟或碳或硼而成的化合物、或者以这各个材料为主成分的材料,在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时,所述低声速膜的膜厚被设为0.1λ~0.5λ的范围。
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