[发明专利]再结晶碳化硅棚板的制备方法

摘要

本发明公开了一种再结晶碳化硅棚板制备方法，制备过程包括如下步骤，(1)选用不同粒级的SiC粉按比例称量，加入适量水及羧甲基纤维素，均匀混合，得混合料；(2)将上述混合料加入模具中冲压成型，获得棚板坯体；(3)将所述棚板坯体置于烧结炉中烧结采用充填惰性气体以隔绝空气并形成保护气氛；烧结温度达到1950℃～2400℃，保温1小时；继续升温至2800℃，保温60‑80min，断电后自然冷却至室温。相比于同类型的产品，具有良好的高温强度，抗热震性能，抗氧化性能和可导热性能，使用寿命长，性能更加优越。

主权项

一种再结晶碳化硅棚板的制备方法，特征在于，它包括如下步骤，(1)选用不同粒级的SiC粉按比例称量，加入适量水及羧甲基纤维素，均匀混合，得混合料；其中粗颗粒的SiC的含量所占比例为40‑60％，粒径为245‑255μm，90‑100μm目的碳化硅粉末25％‑35％，1μm碳化硅粉末10％‑20％；羧甲基纤维素0.2％～5％；上述组份的含量总和为100％；(2)将上述混合料加入模具中冲压成型，获得棚板坯体；(3)将所述棚板坯体置于烧结炉中，在所述坯体的两端连接上石墨电极，并在接有石墨电极的棚板坯体外围密封采用充填惰性气体以隔绝空气并形成保护气氛；(4)将两石墨电极通电，利用坯体的导电性实施自身加热烧结，使烧结温度达到1950℃～2400℃，保温1～2小时；(5)调节所述制品两端的电压，以每小时不超过80℃的速度，使制品继续升温至2800℃，保温60‑80min，断电后自然冷却至室温。