[发明专利]一种RDX与石蜡缺陷晶体复合体系的模拟方法

摘要

本发明公开了一种RDX与石蜡缺陷晶体复合体系的模拟方法，包括如下步骤用材料工作站打开RDX晶体信息文件，把文件中所有的N‑O单键改为虚双键；建立3种超胞模型，沿不同晶面切割各个超胞模型，得到切割模型；建立正三十烷烃分子链；将构建好的正三十烷烃分子链逐步压缩并进行分子动力学模拟，直至正三十烷烃分子链的密度达到理论值；在所得切割模型的上部设置真空层，并用压缩后的正三十烷烃分子链填充该真空层，建立与该切割模型对应的复合体系模型；在各模型中心处移除6个分子得到含不同孔径的RDX与石蜡的复合缺陷模型；对RDX缺陷晶体及其复合体系的模型退火，并对收集的轨迹进行分析。本发明研究不同晶面所得的复合体系模型的界面性能，方法简单安全、效果好、成本低。

主权项

一种RDX与石蜡缺陷晶体复合体系的模拟方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，用材料工作站打开RDX的晶体信息文件，把文件中所有的N‑O单键改为虚双键；步骤2，建立(2×2×3)、(1×1×3)和(2×2×2)超胞模型，沿着(100)和(110)晶面切割(2×2×3)超胞模型，沿着(120)和(210)晶面切割(1×1×3)超胞模型，沿着(111)晶面切割(2×2×2)超胞模型，得到切割模型；步骤3，建立正三十烷烃分子链，将构建好的4条正三十烷烃分子链逐步压缩并进行分子动力学模拟，直至正三十烷烃分子链的密度达到理论值；步骤4，在步骤2所得切割模型的上部设置真空层，并用压缩后的正三十烷烃分子链填充该真空层，建立与该切割模型对应的复合体系模型；步骤5，用Materials Studio确定RDX模型及其与石蜡复合模型的球心，在球心处移除6个分子，得到含不同孔径的RDX缺陷晶体及其复合体系的模型；步骤6，对RDX缺陷晶体及其复合体系的模型退火，并对收集的轨迹进行分析。