[发明专利]一种DFB激光器的外延结构及其制备方法

摘要

本发明公开一种DFB激光器的外延结构，包括InP衬底，在InP衬底上自下而上依次设置有缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、第二缓冲层、腐蚀阻挡层、包层和光栅层；在光栅层上面设置有二次外延层，所述二次外延层自下而上包括光栅包层、势垒渐变层和欧姆接触层，所述光栅包层包括光栅覆盖层和过渡层，所述光栅覆盖层厚度大于光栅层厚度。本发明还公开上述DFB激光器外延结构的制备方法，其光栅覆盖层采用低温、脉冲式慢速生长，且同时通入850sccm‑950 sccm的PH3气体，抑制光栅层P的挥发；过渡层采用高温、快速生长。本发明能防止光栅层被刻蚀，提升DFB激光器外延结构品质，降低DFB激光器的应用成本。

主权项

一种DFB激光器的外延结构，包括InP衬底，在InP衬底上自下而上依次设置有缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、第二缓冲层、腐蚀阻挡层、包层和光栅层；在光栅层上面设置有二次外延层，其特征在于：所述二次外延层自下而上包括光栅包层、势垒渐变层和欧姆接触层，所述光栅包层自下而上包括光栅覆盖层和过渡层，所述光栅覆盖层厚度大于光栅层厚度；所述光栅覆盖层的平均生长速度为0.002 nm/s‑0.003 nm/s，所述光栅覆盖层的生长温度为530‑570°C；所述过渡层的平均生长速度为0.15 nm/s‑0.55 nm/s，所述过渡层的生长温度为650‑690°C。