[发明专利]一种改善电镀填孔凹陷值的工艺有效
申请号: | 201610515365.7 | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN106102349B | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 崔正丹;李志东;邱醒亚 | 申请(专利权)人: | 广州兴森快捷电路科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司;广州市兴森电子有限公司 |
主分类号: | H05K3/42 | 分类号: | H05K3/42 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 赵赛;马簪 |
地址: | 510663 广东省广州市广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种改善电镀填孔凹陷值的工艺,包括以下步骤:1)确认超出Dimple最大值>10μm的要求;2)评级:根据Dimple最大值进行评级;3)蚀刻减铜:根据步骤2)的评级结果,进行蚀刻减铜操作;4)电镀:根据步骤2)的评级结果,进行电镀操作。该工艺先检测Dimple值的大小并进行等级评价,再根据等级评价依次进行蚀刻减铜和电镀操作,可有效减少因Dimple值超标造成PCB板报废问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 电镀 凹陷 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种改善电镀填孔凹陷值的工艺,包括以下步骤:1)确认超出要求值:将Dimple最大值>10μm为作为界定标准,确认Dimple值超出要求值;2)评级:根据Dimple最大值进行评级,将10μm <Dimple≤15μm作为第一级;将15μm <Dimple≤20μm作为第二级;将20μm <Dimple≤25μm作为第三级;将25μm <Dimple≤30μm作为第四级;将Dimple>30作为第五级;3)蚀刻减铜:根据步骤2)的评级结果,进行蚀刻减铜操作,其中第一级减铜2‑5μm;第二级、第三级分别减铜5‑10μm;第四级减铜10‑15μm;第五级减铜20μm;4)电镀:根据步骤2)的评级结果,进行电镀操作,其中第一级电镀厚度为4‑7μm;第二级、第三级分别电镀厚度为7‑12μm;第四级、第五级分别电镀厚度为10‑15μm;5)检测确认:检测Dimple最大值,当Dimple最大值>10μm,重复步骤2)至步骤4)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州兴森快捷电路科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司;广州市兴森电子有限公司,未经广州兴森快捷电路科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司;广州市兴森电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610515365.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:手机的图形用户界面
- 下一篇:用于移动终端的图形用户界面