[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

提供了半导体装置及其制造方法。制造方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括源区、有源区上的至少一个栅极结构，栅极结构包括栅极电介质层、栅极部分、硬掩模；形成第一电介质层以覆盖栅极结构及其相邻的有源区表面，硬掩模与其上的第一电介质层部分构成掩模部件；在第一电介质层上形成第二电介质层；进行凹陷处理，以使得余下的第二电介质层的上表面与余下的掩模部件的上表面的顶部齐平，并且余下的掩模部件的上表面具有中部下陷的第一凹陷；形成第三电介质层；和相对于第一电介质层和余下的掩模部件选择性地对第三电介质层和第二电介质层进行刻蚀，以形成与至少一个栅极结构中的相应栅极结构相邻的相应开口。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：半导体衬底，所述衬底包括有源区，以及在有源区上的彼此分离的至少一个栅极结构，所述栅极结构包括在有源区上的栅极电介质层以及在栅极电介质层上的栅极部分，所述栅极结构还包括位于栅极部分上的硬掩模；在所述衬底结构上形成第一电介质层以覆盖所述至少一个栅极结构以及与所述至少一个栅极结构相邻的有源区表面，其中所述硬掩模与所述第一电介质层在所述硬掩模之上的部分构成掩模部件；在所述第一电介质层上形成第二电介质层以覆盖所述至少一个栅极结构；在形成第二电介质层之后进行凹陷处理，以使得在所述凹陷处理后，余下的第二电介质层的上表面与余下的掩模部件的上表面的顶部齐平，并且余下的掩模部件的上表面具有中部下陷的第一凹陷；形成第三电介质层，以覆盖所述余下的第二电介质层的上表面与所述余下的掩模部件的上表面；以及相对于所述第一电介质层和所述余下的掩模部件选择性地对所述第三电介质层和所述第二电介质层进行刻蚀，以形成与所述至少一个栅极结构中的相应栅极结构相邻的相应开口，所述开口露出相应的栅极结构的侧壁上的第一电介质层以及与所述相应的栅极结构相邻的有源区上的第一电介质层。