[发明专利]一种用于铌酸锂薄膜波导的耦合方式及其实现方法在审
| 申请号： | 201610518118.2 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106154426A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 华平壤;陈朝夕 | 申请（专利权）人： | 派尼尔科技（天津）有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/30 | 分类号： | G02B6/30;G02B6/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300000 天津市滨海新区开发*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于铌酸锂薄膜波导的耦合方式及其实现方法，包括单模光纤、氧化钽波导光栅、铌酸锂纳米线波导、二氧化硅缓冲层和硅衬底，其中，二氧化硅下包层可以采用热氧化的方式；铌酸锂薄膜层直接键合在二氧化硅缓冲层表面。在铌酸锂薄膜表面制备氧化钽波导和光栅结构，最后将经过特殊抛磨的单模光纤直接压在氧化钽波导表面。光信号可以直接从单模光纤进入氧化钽薄膜波导然后通过氧化钽光栅耦合到铌酸锂薄膜波导中。本发明解决了在铌酸锂表面很难直接刻蚀光栅的难题，相比于端面耦合，难度大大降低；同时采用抛光后的普通光纤直接与基片压合的方式，在机械强度上有很大提高，不易受温度变化影响，提高了纳米级铌酸锂薄膜材料的耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 铌酸锂 薄膜 波导 耦合 方式 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种用于铌酸锂薄膜波导的耦合方式，其特征在于：包括单模光纤、氧化钽波导光栅、铌酸锂薄膜波导、二氧化硅缓冲层和硅衬底，所述单模光纤包括包层、纤芯和楔形光纤面，所述单模光纤上的所述楔形光纤面与所述氧化钽波导光栅相连，所述氧化钽波导光栅安装在所述铌酸锂薄膜波导上，所述二氧化硅缓冲层处于所述铌酸锂薄膜波导和所述硅衬底之间。
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