[发明专利]多晶SiC晶片的生成方法

摘要

本发明涉及多晶SiC晶片的生成方法。本发明的课题在于提供一种从多晶SiC晶锭高效率地生成多晶SiC晶片，从而减少废弃比例的多晶SiC晶片的生成方法。一种多晶SiC晶片的生成方法，其中，在形成用于从多晶SiC晶锭生成多晶SiC晶片的界面的改性层形成工序中，所形成的该界面为改性层连锁形成的面，所述改性层如下形成：利用脉冲激光光线的聚光点使多晶SiC分离为非晶硅与无定形碳，形成初期的改性层，之后连续照射的脉冲激光光线由之前形成的无定形碳吸收，同时在功率密度一定的位置，分离为非晶硅与无定形碳而形成改性层。

主权项

一种多晶SiC晶片的生成方法，其为从多晶SiC晶锭生成多晶SiC晶片的多晶SiC晶片生成方法，其中，其具备：改性层形成工序，该工序中使对多晶SiC晶锭具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点位于距多晶SiC晶锭的照射面规定距离的位置，对多晶SiC晶锭照射脉冲激光光线，在成为多晶SiC晶片与多晶SiC晶锭的界面的位置形成改性层；和多晶SiC晶片剥离工序，该工序中对利用该改性层形成工序形成的该界面的上方侧赋予外力，从该界面剥离多晶SiC晶片，在该改性层形成工序中形成的该界面为改性层连锁形成的面，所述改性层如下形成：利用脉冲激光光线的聚光点使多晶SiC分离为非晶硅与无定形碳，形成初期的改性层，接着照射的脉冲激光光线由利用之前照射的脉冲激光光线形成的无定形碳吸收，在该聚光点的照射面侧，多晶SiC分离为非晶硅与无定形碳，连续照射的脉冲激光光线由之前连续形成的无定形碳吸收，同时在功率密度一定的位置，分离为非晶硅与无定形碳，从而形成改性层。