[发明专利]存储器阵列及其读、编程、擦除操作方法有效
| 申请号： | 201610518863.7 | 申请日： | 2016-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN106205703B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 杨光军;孔蔚然;胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器阵列及其读、编程、擦除操作方法，存储器阵列包括多个块结构，每一个块结构中包括多个分栅闪存单元；分栅闪存单元包括源极、漏极、第一控制栅结构、字线结构和第二控制栅结构；在每一个块结构中：多个分栅闪存单元依次串联在第一位线和第二位线之间，其中，第一个分栅闪存单元的漏极耦接第一位线，后一分栅闪存单元的漏极耦接前一分栅闪存单元的源极，最后一个闪存单元的源极耦接第二位线；多个分栅闪存单元的字线结构分别耦接各自的字线；多个分栅闪存单元的第一控制栅结构分别耦接各自的第一控制栅线；多个分栅闪存单元的第二控制栅结构分别耦接各自的第二控制栅线。本发明方案可以较大程度地节约存储器面积。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 阵列 及其 编程 擦除 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器阵列，其特征在于，包括多个块结构，每一个所述块结构中包括至少三个分栅闪存单元；/n所述分栅闪存单元包括源极、漏极、第一控制栅结构、字线结构和第二控制栅结构；每一个块结构共需要两个接触孔以使得分栅闪存单元耦接位线，在所述每一个块结构中：/n所述至少三个分栅闪存单元依次串联在第一位线和第二位线之间，其中，第一个分栅闪存单元的漏极通过一个接触孔耦接第一位线，后一分栅闪存单元的漏极耦接前一分栅闪存单元的源极，最后一个闪存单元的源极通过一个接触孔耦接第二位线；/n所述至少三个分栅闪存单元的字线结构分别耦接各自的字线；/n所述至少三个分栅闪存单元的第一控制栅结构分别耦接各自的第一控制栅线；/n所述至少三个分栅闪存单元的第二控制栅结构分别耦接各自的第二控制栅线；/n在相邻的两个块结构中，若相邻的两个块结构的最后一个分栅闪存单元相邻，两个块结构的最后一个分栅闪存单元的源极通过同一接触孔耦接至所述第二位线；/n或者，若相邻的两个块结构的第一个分栅闪存单元相邻，两个块结构的第一个分栅闪存单元的漏极通过同一接触孔耦接至所述第一位线。/n
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