[发明专利]激光多极管封装底座的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201610518876.4 | 申请日： | 2016-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN105914577B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 林一东;毛红卫 | 申请（专利权）人： | 杭州华锦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 郑兴旺 |
| 地址： | 311399 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种激光多极管封装底座的刻蚀方法，该激光多极管封装底座的刻蚀方法包括如下步骤：步骤1、分别取经预处理的待刻蚀组件，于其外表面上涂覆光刻胶，并将所述光刻胶图形化；步骤2、取经步骤1处理的待刻蚀组件，置于刻蚀液中进行湿法刻蚀处理；步骤3、取经步骤2处理的待刻蚀组件清洗处理；所述刻蚀液包括35～45wt%的HCl、2～5wt%的H3PO4和0.05～0.2wt%的CH3COONa，其提供了一种针对铁钴镍合金的刻蚀方法。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 多极 封装 底座 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光多极管封装底座的刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、分别取经预处理的待刻蚀组件，于其外表面上涂覆光刻胶，并将所述光刻胶图形化；步骤2、取经步骤1处理的待刻蚀组件，置于刻蚀液中进行湿法刻蚀处理；步骤3、取经步骤2处理的待刻蚀组件清洗处理；所述刻蚀液包括35～45wt%的HCl、2～5wt%的H3PO4、0.05～0.2wt%的CH3COONa、0.05～0.1wt%的阴离子聚丙烯酰胺和0.1～0.5wt%的乙酸乙酯，余量为水，所述待刻蚀组件由铁钴镍合金制成。
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