[发明专利]一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201610518884.9 | 申请日： | 2016-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN106129243A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 李效民;徐雷雷;高相东;朱秋香 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L41/18 | 分类号： | H01L41/18;H01L41/37 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法，所述氮化镓基铁酸铋铁电薄膜由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体薄膜衬底上的TiO2缓冲层、锰酸锶镧缓冲层以及铁酸铋铁电薄膜层构成。本发明的有益结果是采用LSMO/TiO2双缓冲层，减小了铁酸铋与氮化镓之间的晶格失配度，实现了铁酸铋铁电薄膜在氮化镓半导体薄膜上的外延生长，获得了（111）单一取向的铁酸铋薄膜，实现了铁酸铋铁电薄膜与氮化镓半导体的外延集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓基铁酸铋铁电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜，其特征在于，所述氮化镓基铁酸铋铁电薄膜由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体薄膜衬底上的TiO2缓冲层、锰酸锶镧缓冲层以及铁酸铋铁电薄膜层构成。
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