[发明专利]极化晶体畴结构无损表征的方法、系统及其应用有效
| 申请号： | 201610520376.4 | 申请日： | 2016-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN107576632B | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 梁万国;陈怀熹;陈立元;邹小林;缪龙;冯新凯;李广伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | G01N21/47 | 分类号： | G01N21/47;G01N21/49;G01N21/01;G02B21/00 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 於刘明 |
| 地址： | 350002 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种极化晶体的无损检测方法、系统及其应用，用于极化晶体畴域结构重要指标参数(包括占空比、极化周期等)的无损状态下的表征。该对极化晶体施加一定的电场，不改变极化晶体畴结构的前提下放大极化晶体折射率的变化；通过图像采集、衍射光强采集和数据分析，得到极化晶体畴结构的性能参数。通过对晶体施加一定的电场放大折射率变化量却又不会改变极化晶体畴结构，通过图像采集粗测、衍射光强分布图采集分析，采用严格耦合波分析方法(RCWA)进行优化分析，从而在晶体无损状态下获得极化晶体精确的畴域结构相关性能参数。 | ||
| 搜索关键词： | 极化晶体 畴结构 图像采集 无损状态 性能参数 衍射光 畴域 严格耦合波分析 施加 折射率变化量 采集 电场放大 极化周期 数据分析 无损表征 无损检测 重要指标 电场 分布图 占空比 折射率 粗测 应用 分析 下放 申请 优化 | ||
【主权项】：
1.极化晶体畴结构无损表征的方法，其特征在于，对极化晶体施加一定的电场，不改变极化晶体畴结构的前提下放大极化晶体折射率的变化；通过图像采集、衍射光强采集和数据分析，得到极化晶体畴结构的性能参数；所述图像采集得到粗略的极化晶体畴结构；其中，所述极化晶体畴结构包括占空比和/或极化周期。
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