[发明专利]一种基于二维半导体的电子器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610520971.8 | 申请日： | 2016-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN106129112B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 杨雯;张日清;夏禹 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例采用对二维半导体周围介质的掺杂或者在半导体周围介质局部填充固体材料形成填充区，利用掺杂区或填充区对二维半导体特性的掺杂效应来实现基于二维半导体的电子器件。本发明实施例对二维半导体的掺杂不是对二维半导体的直接处理，因此能够有效地降低掺杂过程对二维半导体造成的损伤及由此带来的器件性能退化，提升掺杂后器件性能的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 半导体 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于二维半导体的电子器件，其特征在于，包括：绝缘介质层、沟道区、第一电极、第二电极，所述绝缘介质的材料为SiO2或高k介质，所述沟道区为二维半导体层；所述绝缘介质层设置有掺杂区或填充区，所述掺杂区含有对所述二维半导体层具有掺杂效应的掺杂剂，所述填充区填充有对所述二维半导体层具有掺杂效应的固体材料，所述掺杂效应为n型掺杂或p型掺杂，所述掺杂区或所述填充区的面积小于所述沟道区的面积；所述二维半导体层位于所述绝缘介质层之上，且所述二维半导体层的至少一部分位于所述掺杂区或所述填充区之上；所述第一电极和第二电极位于所述沟道区的两侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司，未经华为技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610520971.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
