[发明专利]一种平面栅功率器件结构及其形成方法

摘要

本发明提供了一种平面栅功率器件结构及其形成方法，通过光刻和刻蚀工艺形成接触孔后，先进行P型区注入以及退火工艺形成P型区，再刻蚀接触孔侧壁的掩蔽层，暴露出N型区的上表面，即可实现N型区的平面横向接触，保证N型区的接触面积，避免导通电阻等异常情况的出现，本发明在减少光刻成本情况下保证器件的结构实现，同时使产品的参数和可靠性满足要求。

主权项

一种平面栅功率器件形成方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成栅极材料层；进行光刻和刻蚀工艺，在所述栅极材料层中形成第一窗口；进行P阱注入以及退火工艺，在所述半导体衬底中形成P阱；进行N型区注入以及退火工艺，在所述P阱中形成N型区；在所述栅极材料层上淀积掩蔽层，并进行光刻和刻蚀工艺形成第二窗口，所述第二窗口暴露所述N型区，且所述第二窗口的横截面宽度小于所述第一窗口的横截面宽度；进行P型区注入以及退火工艺，在所述第二窗口的底部形成P型区，所述P型区穿透所述N型区；刻蚀所述第二窗口侧壁的掩蔽层形成第三窗口，所述第三窗口暴露所述N型区的上表面；以及在所述第三窗口中填充导电材料形成源极结构。