[发明专利]一种射频功率放大器版图及射频功率放大器

摘要

本申请公开了一种射频功率放大器版图及射频功率放大器，其中，在射频功率放大器版图中，第二晶体管的漏极通过金属过孔直接与大面积的第二层导电层连接，而不需要采取由细小的走线引向功能区一侧再引出的方式，而大面积的第二层导电层相比细小的走线的而言电阻较小，并且大面积的第二层导电层与第二晶体管的漏极的连接的稳定性较高，从而实现了在不增加晶圆面积的基础上，提升射频功率放大器信号输出端的电气连接质量的目的。并且射频功率放大器的接地端和信号输出端都可以通过采用倒扣的方式直接在第二层导电层背离第一层导电层一侧引出，从而降低了射频功率放大器所占用的晶圆面积，进而降低了射频功率放大器的成本。

主权项

1.一种射频功率放大器版图，其特征在于，适用于基于HEMT工艺的射频功率放大器，所述射频功率放大器版图包括：晶圆；以所述晶圆为基底的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管漏极与第二晶体管的源极电连接，所述第一晶体管和第二晶体管构成射频功率放大器的功能区；位于所述功能区背离所述晶圆一侧的第一层导电层；位于所述第一层导电层背离所述功能区一侧表面的第二层导电层；所述第一晶体管的栅极通过所述第一层导电层或第二层导电层引出，作为所述射频功率放大器的第一引出端；所述第一晶体管的源极通过金属过孔与所述第二层导电层连接，并通过所述晶圆通孔连接到所述晶圆背离所述功能区一侧的接地金属层；所述第二晶体管的栅极通过所述第一层导电层引出，作为所述射频功率放大器的第二引出端；所述第二晶体管的漏极通过金属过孔与所述第二层导电层连接并引出，作为所述射频功率放大器的信号输出端。