[发明专利]功率二极管的制备方法和功率二极管有效
| 申请号： | 201610522554.7 | 申请日： | 2016-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN107579120B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 李理;赵圣哲;马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率二极管的制备方法和功率二极管，其中，制备方法包括：在N型衬底上依次形成N型外延层和N型外延层的预设区域的N型结区；在形成N型结区后，在N型外延层上依次形成场氧化层、多晶硅层和绝缘层掩膜结构，绝缘层掩膜结构与N型结区在垂直方向上对齐；以绝缘层掩膜结构为掩膜，依次对多晶硅层和场氧化层进行各向异性刻蚀，以暴露出用于制作体区的外延层的指定区域；在外延层的指定区域形成P型体区，并在P型体区的边缘形成P‑型区域；在P‑型区域的内侧的外延层中，形成与P‑型区域分离的N+型区域和电极，以完成功率二极管的制作。通过本发明的技术方案，减小了器件的通态压降，进而提升了功率二极管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种功率二极管的制备方法，其特征在于，包括：在N型衬底上依次形成N型外延层和所述N型外延层的预设区域的N型结区；在形成所述N型结区后，在所述N型外延层上依次形成场氧化层、多晶硅层和绝缘层掩膜结构，所述绝缘层掩膜结构与所述N型结区在垂直方向上对齐；以所述绝缘层掩膜结构为掩膜，依次对所述多晶硅层和所述场氧化层进行各向异性刻蚀，以暴露出用于制作体区的所述外延层的指定区域；在所述外延层的指定区域形成P型体区，并在所述P型体区的边缘形成P‑型区域；在所述P‑型区域的内侧的外延层中，形成与所述P‑型区域分离的N+型区域和电极，以完成所述功率二极管的制作。
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