[发明专利]包覆硅氧化物的尖晶石富锂锰酸锂材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610523389.7 申请日: 2016-07-06
公开(公告)号: CN105958034A 公开(公告)日: 2016-09-21
发明(设计)人: 童庆松;王蕾;郭可可;黄雪红;张贵萍;曾观音;赵南南;游帅帅;王彤;李秀华 申请(专利权)人: 福建师范大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/48;H01M4/505;H01M10/052;H01G11/30;H01G11/46
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350108 福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及包覆硅氧化物的尖晶石富锂锰酸锂材料的制备方法,其特征在于将化学组成为LixMnyOz的尖晶石富锂锰酸锂与二氧化硅、一氧化硅或硅粉按照重量比1:0.001~0.06混合,通过湿磨、干燥等步骤制备干燥的前驱物2。将前驱物2在300℃~450℃温度区间的任一温度烧结3小时~24小时,制得包覆硅氧化物的尖晶石富锂锰酸锂。本发明的原料成本较低,制备的电极材料在高温及存放条件下,具有优秀的大电流放电性能,为产业化打下良好的基础。
搜索关键词: 包覆硅 氧化物 尖晶石 富锂锰酸锂 材料 制备 方法
【主权项】:
包覆硅氧化物的尖晶石富锂锰酸锂材料的制备方法,其特征在于将尖晶石富锂锰酸锂粉末与包覆剂粉末按照重量比1:0.001~0.06混合,加入固体总体积的1倍至25倍体积的湿磨介质,用湿磨设备湿磨混合3小时~15小时,制得前驱物1;将前驱物1用常压干燥、真空干燥或喷雾干燥制备干燥的前驱物2;将前驱物2置于空气、富氧空气或纯氧气氛中,在300℃~450℃温度区间的任一温度烧结3小时~24小时,自然冷却至室温,制得包覆硅氧化物的尖晶石富锂锰酸锂;所述的尖晶石富锂锰酸锂的化学组成为LixMnyOz;这里的x、y和z同时满足以下关系式:3.8 ≤ x ≤ 4.3,4.8 ≤ y ≤ 5.3,z = (x + 4y)/2;所述的包覆剂为二氧化硅、一氧化硅或硅粉。
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