[发明专利]薄膜沉积装置

摘要

一种反应室包括：反应器壁；接触所述反应器壁以界定反应空间的基座；和在所述反应器壁与所述基座之间堆叠的气流控制装置和喷头构件。喷头构件包括气体通道和喷头。贯穿所述气流控制装置的突出横向部分而形成贯穿孔，并且所述反应器壁与所述喷头构件的横向部分彼此隔开以形成排气路径。在所述排气路径中剩余的气体通过所述贯穿孔和在所述反应器壁的上部中形成的出气口排出。所述反应室提供反应空间和所述排气路径，其中去除了不必要的区域以使气体快速地从一种改为另一种，因此可以高效率和高生产率完成原子层沉积。

主权项

1.一种半导体制造设备，包括：/n反应器壁；/n板，其连接至所述反应器壁并包括进气端口，所述板从所述进气端口延伸；/n侧壁，其从所述板突起并包括穿过其形成的多个孔；和/n喷头构件，其从所述板的底侧连接至所述进气端口，/n其中，所述进气端口贯穿所述板形成，并且在所述喷头构件与所述反应器壁之间的区域中和所述板与所述反应器壁之间的区域中形成排气路径，/n其中，所述侧壁或所述反应器壁具有能够容纳所述反应器壁和所述板之间的密封构件的形状，/n其中，从所述喷头构件和所述板的外侧经由所述多个孔到出气口限定排气路径空间。/n