[发明专利]一种高硅b‑取向ZSM‑5纳米片的合成方法有效

专利信息
申请号: 201610523697.X 申请日: 2016-07-06
公开(公告)号: CN106185978B 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 陈丽;丁键;施宗波;吴海虹;何鸣元 申请(专利权)人: 华东师范大学
主分类号: C01B39/40 分类号: C01B39/40
代理公司: 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙)31215 代理人: 徐筱梅,张翔
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种高硅b‑取向ZSM‑5纳米片的合成方法,其特点是将铝源与氨水、无机盐和水混合,搅拌后缓慢滴加硅源,然后均速加入模板剂和晶种,在120~190 oC温度下晶化反应24~48小时,反应结束后经过滤、干燥得具有高硅b‑取向的ZSM‑5纳米片。本发明与现有技术相比具有高活性、晶粒超薄、高硅b‑取向、硅铝比可调、厚度可控、晶体完美和水热稳定性强的ZSM‑5纳米片,较好的克服了制备纳米片沸石催化剂需使用特定结构、价格昂贵的结构导向剂或二次模板剂,降低了制备成本,合成产率高,具有一定的工业化运用前景和显著的经济价值。
搜索关键词: 一种 取向 zsm 纳米 合成 方法
【主权项】:
一种高硅b‑取向ZSM‑5 纳米片的合成方法,其特征在于由铝源与氨水、无机盐和水组成的合成体系,室温下搅拌10~30 分钟后缓慢滴加硅源,得到混合均匀的硅铝溶胶凝胶后匀速加入小分子模板剂和晶种继续搅拌10~50 分钟,然后在120~190 oC 温度下晶化反应24~48 小时,反应结束后经过滤、干燥得具有高硅b‑取向的ZSM‑5 纳米片,所述铝源为异丙醇铝或偏铝酸钠;所述硅源为硅溶胶、气溶胶或固体硅胶;所述无机盐为NaCl 或KCl;所述小分子模板剂为C5~C10 伯胺中的单头胺、双头胺或两者的混合;所述晶种为MFI 结构的小颗粒沸石原液、水溶液或未晶化完全的结构诱导剂,晶种颗粒大小为10~200 nm;所述合成体系中各组分的摩尔比为:1 SiO2:0.01~0.001 Al2O3:0.01~0.1 NH3·H2O:0.01~0.1 无机盐:10~100 H2O:0.1~0.6 小分子模板剂:0.002~0.05 晶种。
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