[发明专利]硅镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 201610524103.7 | 申请日： | 2016-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN106048725B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 陈建玉;侯晴;齐红基;韩和同;宋朝辉;张侃 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/00;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司31213 | 代理人： | 张泽纯,张宁展 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法，硅和镱离子共掺YAG晶体的化学式为Yb3xY3(1‑x)Si5yAl5(1‑y)O12，式中x＝0.05～0.3,y＝0.0001～0.01，x为基质Yb离子的掺杂量，y为Si离子的掺杂量，Yb离子进入晶体取代Y离子格位，Si离子取代Al离子格位。本发明制备的Yb3xY3(1‑x)Si5yAl5(1‑y)O12超快闪烁晶体具有光产额高、抗辐照损伤强等优点，可应用于超快脉冲辐射探测、惯性约束核聚变、空间辐射探测、核反应动力学研究等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 yag 闪烁 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅镱离子共掺YAG超快闪烁晶体，其特征在于：分子式为Yb3xY3(1‑x)Si5yAl5(1‑y)O12，式中x＝0.05～0.3，y＝0.0001～0.01，Yb离子进入晶体均取代Y离子格位，Si离子进入晶体取代Al离子格位。
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