[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件。可减小半导体器件的大小。所述半导体器件具有：第一导电类型的p型阱层，其在半导体衬底的主表面的X方向上延伸；参考电势布线，其与p型阱层耦合，并且在X方向上延伸；第一有源区和第二有源区，其布置在Y方向上的参考电势布线的两侧上；以及栅电极层，其以与第一有源区和第二有源区交叉的方式在Y方向上延伸。然后，栅电极层具有在与第一有源区的交叉部分处的第二导电类型的第一栅电极、在与第二有源区的交叉部分处的第二导电类型的第二栅电极、第一栅电极和第二栅电极之间的未掺杂电极。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有主表面；第一导电类型的第一半导体区，所述第一半导体区形成在所述半导体衬底处，并且在所述主表面的第一方向上延伸；第一布线，所述第一布线与所述第一半导体区耦合，并且以在所述第一方向上延伸的方式布置在所述半导体衬底上方；第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和所述第二有源区形成在所述第一半导体区中，并且以所述第一布线在与所述第一方向正交的第二方向上介于所述第一有源区和所述第二有源区之间的方式布置；栅电极层，所述栅电极层形成在所述主表面上方，并且以与所述第一有源区和所述第二有源区中的每个交叉的方式在所述第二方向上延伸；一对第二半导体区，所述一对第二半导体区具有是所述第一导电类型的相反导电类型的第二导电类型，并且以所述栅电极层介于所述一对第二半导体区之间的方式布置在所述第一有源区中；以及一对第三半导体区，所述一对第三半导体区具有所述第二导电类型，并且以所述栅电极层介于所述一对第三半导体区之间的方式布置在所述第二有源区中，其中，所述栅电极层在与所述第一有源区的交叉部分处具有所述第二导电类型的第一栅电极，并且在与所述第二有源区的交叉部分处具有所述第二导电类型的第二栅电极，并且在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间具有未掺杂区。