[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201610525373.X | 申请日: | 2016-07-06 |
公开(公告)号: | CN106340473B | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 今冈裕一;西部幸伸 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供能够以短时间形成均匀地喷出处理液的状态的水刀、基板处理装置及基板处理方法。实施方式所涉及的水刀(11)具有:贮存部(11T),贮存处理液;喷出部(11S),形成为沿着贮存部(11T)的长度方向延伸的狭缝状,与贮存部(11T)连接并喷出处理液;处理液供给路径(11P),对贮存部(11T)供给处理液;及吸引路径(11V),吸引存在于贮存部(11T)的气体。从处理液供给路径(11P)向贮存部(11T)供给处理液的同时,对贮存部(11T)施加吸引力,该吸引力是外部气体不会从喷出部(11S)被吸引到贮存部(11T)内的吸引力。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种水刀,其特征在于,具有:贮存部,贮存处理液;喷出部,形成为沿所述贮存部的长度方向延伸的狭缝状,与所述贮存部连接,喷出所述处理液;处理液供给路径,对所述贮存部供给处理液;以及吸引路径,与所述贮存部连接,吸引存在于所述贮存部的气体,在从所述处理液供给路径对所述贮存部供给所述处理液的同时,所述贮存部被施加不会使外部气体从所述喷出部吸引到所述贮存部内的吸引力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造