[发明专利]选择码提供电路及其提供方法有效
申请号: | 201610525414.5 | 申请日: | 2016-07-06 |
公开(公告)号: | CN107230493B | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 陈毓明;林纪舜 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种选择码提供电路及其提供方法,其选择码提供电路包含多个电阻式随机存取记忆元以及控制器。控制器决定是否提供控制信号以对电阻式随机存取记忆元进行重形成操作。其中,控制器对电阻式随机存取记忆元施行读取操作以决定重形成电阻式随机存取记忆元的位数,而选择码是根据重形成电阻式随机存取记忆元的位数或非重形成电阻式随机存取记忆元的位数产生。本发明证明数个RRAM单元中,至少有一个RRAM单元会被重形成,以保障数据保存性。 | ||
搜索关键词: | 选择 提供 电路 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种选择码提供电路,其特征在于,包括:多个电阻式随机存取记忆元;以及控制器,耦接至所述多个电阻式随机存取记忆元,并决定是否提供控制信号以对所述多个电阻式随机存取记忆元的至少其中之一进行重形成操作,其中,所述控制器对所述多个电阻式随机存取记忆元施行读取操作以决定所述多个电阻式随机记忆元中的重形成电阻式随机记忆元的位数,而所述选择码依据所述重形成电阻式随机存取记忆元的位数,或依据非重形成电阻式随机存取记忆元的位数来决定。
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