[发明专利]薄膜电阻器及其制造方法有效
| 申请号： | 201610525682.7 | 申请日： | 2016-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN106340361B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 广岛安 | 申请（专利权）人： | KOA株式会社 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C7/06;H01C17/12 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;郑霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜电阻器及其制造方法。该薄膜电阻器，在保持良好的TCR特性的同时，具有比现有产品高的电阻值。该薄膜电阻器在基板上形成有一对电极和与所述一对电极连接的电阻膜，所述电阻膜包括第一电阻膜和第二电阻膜，所述第二电阻膜的TCR与所述第一电阻膜的TCR不同，所述第一电阻膜和所述第二电阻膜均以Si、Cr、N为主要成分。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电阻器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜电阻器，其特征在于，所述薄膜电阻器在基板上形成有一对电极和与所述一对电极连接的电阻膜，其中，所述电阻膜包括第一电阻膜和第二电阻膜，所述第二电阻膜的TCR与所述第一电阻膜的TCR不同，所述第一电阻膜和所述第二电阻膜均以Si、Cr、N为主要成分而且均含有氮化硅，所述第一电阻膜和所述第二电阻膜以xTCR为界具有不同的氮化硅的比例，xTCR是氮化硅的阈值，是TCR的正负发生变化的氮化硅的比例，在所述第一电阻膜中，所述第一电阻膜所含有的Si中形成氮化硅的Si的比例为63％以下且TCR为正值，在所述第二电阻膜中，所述第二电阻膜所含有的Si中形成氮化硅的Si的比例为68％以上且TCR为负值。
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