[发明专利]一种碳化硅PiN二极管的结终端结构的制造方法有效
| 申请号： | 201610526004.2 | 申请日： | 2016-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN105931963B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 吴佳;李诚瞻;史晶晶;高云斌;周正东;刘国友;彭勇殿 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 罗满<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅PiN二极管的结终端结构的制造方法，首先在晶圆上生长衬垫氧化层和衬垫氮化硅；然后利用光刻和腐蚀工艺定义需要生长氧化层的区域；再利用衬垫氧化层和衬垫氮化硅作为阻挡层生长氧化层；最后通过湿法腐蚀的方式去除衬垫氮化硅和衬垫氧化硅。通过这种方法能够避免在获得碳化硅PiN二极管的结终端结构的过程中由于刻蚀造成的损伤，通过由于进行了氧化，提高了载流子的寿命，从而改善了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 pin 二极管 终端 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅PiN二极管的结终端结构的制造方法，其特征在于，包括：/n在碳化硅上淀积衬垫氧化层，并在所述衬垫氧化层上淀积衬垫氮化硅层，所述衬垫氧化层和所述衬垫氮化硅层作为阻挡层；/n在所述衬垫氮化硅层上涂覆光刻胶，通过光刻将预制的第一光刻板的图形转移到所述衬垫氮化硅层上；/n刻蚀所述阻挡层；/n对刻蚀后的所述碳化硅进行氧化；/n湿法腐蚀去除所述衬垫氮化硅层、所述衬垫氧化层以及所述碳化硅的氧化层，形成台面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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