[发明专利]具有高发射率涂层的大型真空腔室主体的电子束熔接

摘要

本发明所揭示的实施方式与已熔接在一起的大型真空腔室主体有关。腔室主体在所述腔室主体中至少一个表面上具有高发射率涂层。由于腔室主体的大型尺寸，腔室主体是通过将数个部件熔接在一起而形成，而非以单一金属部件来锻造主体。这些部件在与主体的弯处相隔的一位置处熔接在一起，所述位置在排空期间为最大应力处，以确保可能是主体中最弱点的熔接不会失效。腔室主体的至少一个表面可涂覆有高发射率涂层，以助于来自进入的受热基板的热传递。所述高发射率涂层可通过减少降低基板温度所需时间而增加基板产量。

主权项

一种腔室主体，所述腔室主体包含多个部件，所述多个部件耦接在一起以共同形成具有含四个弯处的内部表面的所述腔室主体，所述腔室主体包含：第一部件，包含：第一部分和延伸通过所述第一部分的第一开口，所述第一部分具有大于第一宽度的第一长度；第一凸缘，所述第一凸缘在与所述第一宽度实质垂直的方向上自所述第一部分延伸第一距离，所述第一凸缘自所述四个弯处中的第一弯处延伸；以及第二凸缘，所述第二凸缘在与所述第一宽度实质垂直的方向上自所述第一部分延伸第二距离，所述第二凸缘自所述四个弯处中的第二弯处延伸；第二部件，所述第二部件耦接至所述第一凸缘并在与所述第一宽度实质垂直的方向上延伸；第三部件，所述第三部件耦接至所述第二凸缘并在与所述第一宽度实质垂直且与所述第二部件平行的方向上延伸；第四部件，所述第四部件耦接至所述第二部件与所述第三部件，所述第四部件包含：第二部分和延伸通过所述第二部分的第二开口，所述第二部分具有大于第二宽度的第二长度；第三凸缘，所述第三凸缘在与所述第二宽度实质垂直的方向上自所述第二部分延伸第三距离；以及第四凸缘，所述第四凸缘在与所述第二宽度实质垂直的方向上自所述第二部分延伸第四距离。