[发明专利]半导体硅片清洗液及生产方法在审
| 申请号： | 201610526209.0 | 申请日： | 2016-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN106190615A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 杨同勇;李文瀚 | 申请（专利权）人： | 三达奥克化学股份有限公司 |
| 主分类号： | C11D1/72 | 分类号： | C11D1/72;C11D3/60;C11D3/48;C11D3/34;C11D3/33;C11D3/20;C11D3/04 |
| 代理公司： | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人： | 闪红霞 |
| 地址： | 116023 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开一种清洗彻底且效率高的半导体硅片清洗液及生产方法，由A组分和B组份按体积比为1~4：1~4混合组成，所述A组分的原料及质量百分比如下：脂肪醇聚氧乙烯醚3~10%、乙二胺四乙酸钠盐0.5~5%、氢氧化钾1~10%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.1~0.5%、二乙二醇丁醚5~15%和纯水余量；所述B组分为质量百分比浓度0.5~2%的二氧化氯水溶液。生产方法是A组分按照如下步骤进行：先将计算量的氢氧化钾和乙二胺四乙酸钠盐溶解在定量的纯水中，再依次注入计算量的磺化琥珀酸二辛酯钠盐和脂肪醇聚氧乙烯醚，搅拌15分钟后添加计算量的二乙二醇丁醚，继续搅拌20分钟。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 硅片 清洗 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体硅片清洗液，其特征在于由A组分和B组份按体积比为1~4：1~4混合组成，所述A组分的原料及质量百分比如下：脂肪醇聚氧乙烯醚3~10%、乙二胺四乙酸钠盐0.5~5%、氢氧化钾1~10%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.1~0.5%、二乙二醇丁醚5~15%和纯水余量；所述B组分为质量百分比浓度0.5~2%的二氧化氯水溶液。
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