[发明专利]一种有机-无机钙钛矿尖峰晶体的制备及其应用

摘要

本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种有机‑无机钙钛矿尖峰晶体的制备及其应用。具体制备步骤为：将适量钙钛矿前驱体溶解在有机溶剂中形成浓度为30wt%~60wt%的有机‑无机钙钛矿杂合物溶液；将该溶液在形成有导电电极的基片表面上铺展成膜，利用不良溶剂使得钙钛矿溶液快速析出；加热除去多余的有机溶剂，使得钙钛矿充分结晶，形成尖峰状晶体；该尖峰状晶体可用于场致电子发射阴极材料。通过本发明方法可以大量、低成本的制备钙钛矿场发射阴极，具有较低的开启和阈值场强，发射稳定，简单适宜实现大面积制作和有利于工业化量产。 1

主权项

1.一种有机‑无机钙钛矿尖峰晶体在场致电子发射阴极材料中的应用，其特征在于：所述的有机‑无机钙钛矿尖峰晶体的制备方法为：将适量钙钛矿前驱体溶解在有机溶剂中，配制成浓度为30wt%~60wt%的有机‑无机钙钛矿杂合物溶液；将有机‑无机钙钛矿杂合物溶液在形成有导电电极的基板表面上铺展成膜，然后将不良溶剂铺展在有机‑无机钙钛矿杂合物溶液上，利用不良溶剂使得有机‑无机钙钛矿杂合物溶液快速析出；然后通过热处理除去多余的有机溶剂，使得钙钛矿充分结晶，形成尖峰状晶体；所述的有机溶剂包括N，N‑二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、四氢呋喃和丁内酯中的一种；所述的不良溶剂包括氯苯、甲苯、甲醇和异丙醇中的一种；所述的有机‑无机钙钛矿杂合物的通式为ABI_xBr_yCl_3‑x‑y，其中A为正一价的有机阳离子，B为正二价的金属离子，0≤x≤3，0≤y≤3，0≤x+y≤3；所述的有机阳离子选自CH₃NH₃⁺、C₂H₅NH₃⁺或NH₂CH＝NH₂⁺；所述的金属离子选自Sn²⁺或Pb²⁺。

2.根据权利要求1所述的有机‑无机钙钛矿尖峰晶体在场致电子发射阴极材料中的应用，其特征在于：所述的铺展成膜为：采用刮涂、喷涂、滴涂、旋涂或喷墨打印的方法使有机‑无机钙钛矿杂合物溶液铺展成膜，铺展成膜后的膜层厚度为50‑500微米。

3.根据权利要求1所述的有机‑无机钙钛矿尖峰晶体在场致电子发射阴极材料中的应用，其特征在于：所述的热处理其温度为80‑200℃，时间为5min‑30min。

4.根据权利要求1所述的有机‑无机钙钛矿尖峰晶体在场致电子发射阴极材料中的应用，其特征在于：所述的基板包括玻璃基板；所述的导电电极包括银浆、ITO和石墨烯中的一种。