[发明专利]一种解决混合内存读延迟不确定性的方法有效
申请号: | 201610526793.X | 申请日: | 2016-07-06 |
公开(公告)号: | CN106168928B | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 景蔚亮;李辉 | 申请(专利权)人: | 上海新储集成电路有限公司 |
主分类号: | G06F12/06 | 分类号: | G06F12/06 |
代理公司: | 31272 上海申新律师事务所 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201500 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种解决混合内存读延迟不确定性的方法,涉及混合内存领域,包括提供一包括通信连接的DRAM和SCM的混合内存,所述DRAM按照存储单元保持时间包括主要分布区和尾端分布区,将暴读(Read‑heavy)数据或暴读(Write‑heavy)数据放入将被SCM替换的DRAM尾端分布区,且所述混合内存中预存有地址查找转换表,所述地址查找转换表中包括发生替换存储的所述DRAM地址和所述SCM地址的映射项。解决内存瓶颈和功耗瓶颈不是一件容易的事情,但是通过各个方面的交叉努力,如工艺配方,存储器新型设计,结构创新,系统支持等,还是存在可能的机会,甚至无需更改DRAM,存储控制器和操作系统。随着DRAM和SCM在页读延迟上的差别减小,在一个固定周期内的PCM访问差别将会消失。 | ||
搜索关键词: | 一种 解决 混合 内存 延迟 不确定性 方法 | ||
【主权项】:
1.一种解决混合内存读延迟不确定性的方法,包括提供一包括通信连接的DRAM和SCM的混合内存,其特征在于,所述DRAM按照存储单元保持时间包括主要分布区和尾端分布区,将暴读(Read-heavy)数据放入将被SCM替换的DRAM尾端分布区,且所述混合内存中预存有地址查找转换表,所述地址查找转换表中包括发生替换存储的所述DRAM地址和所述SCM地址的映射项;所述SCM采用两个单元每位技术。/n
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