[发明专利]薄膜晶体管及制作方法和薄膜晶体管阵列基板及制作方法

摘要

一种薄膜晶体管及制作方法和薄膜晶体管阵列基板及制作方法，其中该薄膜晶体管包括在衬底上的第一导电极、位于该第一导电极上的第一绝缘层、位于该第一绝缘层上的第二导电极、位于该第二导电极上的半导体层、位于该半导体层上的第二绝缘层、以及位于该第二绝缘层上的第三导电极，其中贯穿该第二导电极和该第一绝缘层形成有过孔，该半导体层填入该过孔中并与该第一导电极和该第二导电极电性连接，该第一导电极为源极和漏极中的其中之一，该第二导电极为源极和漏极中的另一，该第三导电极为栅极。该薄膜晶体管结构可以使宽长比(W/L)做到较大，降低了该薄膜晶体管的尺寸，该薄膜晶体管占用空间小，像素单元的开口率更高，显示屏的边框也可以更窄。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该制作方法包括步骤：在衬底(50)上形成第一导电极(51)；在该第一导电极(51)上形成第一绝缘层(53)和第二导电极(55)，并且形成贯穿该第二导电极(55)和该第一绝缘层(53)的过孔(80)以使该第一导电极(51)的部分上表面露出；在该第二导电极(55)上形成半导体层(56)，该半导体层(56)填入该过孔(80)中并与该第一导电极(51)和该第二导电极(55)电性连接；在该半导体层(56)上形成第二绝缘层(57)，以及在该第二绝缘层(57)上形成第三导电极(58)；其中，该第一导电极(51)为源极和漏极中的其中之一，该第二导电极(55)为源极和漏极中的另一，该第三导电极(58)为栅极。